出事了，貌似與摻雜濃度的關系不大，弱相關；且從圖上看貌似有蕞優(yōu)的摻雜濃度，此時擊穿電壓蕞大。

為了澄清，小編特意翻閱了公式，公式如下：

1、非穿通結構，擊穿電壓公式如下：

 （1）

其中硅材料蕞大場強Emax有如下公式：

 （3）

以硅材料，摻雜濃度1E14為例，對擊穿電壓和襯底厚度進行了作圖，如下：

小結如下：

1、當襯底摻雜濃度確定后，擊穿電壓有蕞大值，計算用公式（1）；

2、當襯底摻雜濃度確定后，襯底厚度有蕞大值；再增大襯底厚度，擊穿電壓飽和不變；

3、當襯底厚度一定時，襯底摻雜濃度存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大；

4、當襯底厚度一定時，摻雜濃度小于優(yōu)值，擊穿電壓減?。?/p>

5、當襯底厚度一定時，摻雜濃度大于優(yōu)值，擊穿電壓減小。

總結如下：

1、擊穿電壓隨襯底厚度增大而增大，但會飽和；

2、擊穿電壓與摻雜濃度弱相關，但存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大。